在下管关断后，上管米勒平台开始/结束时，SW电压由0升到VDD，MOSFET的源极和漏极之间产生陡峭的的$\frac{dV}{dt}$。由此在漏栅电容产生的电流会流到栅极，经栅极电阻到地，这样就会在栅极电阻上产生的电压降。这种情况，就会可能发生上下管同时导通，损坏器件。
$$V_{gs}=R_{gt}\ast C_{gd}\ast \frac{dV}{dt}(1)$$$$R_{gt}=R_{g(ext)}+R_g+R_{drv}(2)$$$R_{g(ext)}$为外部栅极电阻，$R_g$为MOS管栅极内阻，$R_{g(drv)}$为驱动IC的电阻;
从公式（1）可以看到，$V_{gs}$与$R_g$t和$C_{gd}$呈正向相关，所以减小$R_g$、$C_{gd}$或输入电压$V$，都可以减小$V_{gs}$尖峰电压。
实际项目中输入电压一般都是固定值，不能改变，减小$\frac{dV}{dt}$的方法也比较难操作,所以下管关断后出现$V_{gs}$尖峰时，可以更换$C_{rss}/C_{iss}$即$(C_{gd}/Cgs)$低的MOS管，或者通过减小$R_{g(ext)}$的方法减小$V_{gs}$尖峰电压。

改善前的栅极波形

改善后的栅极波形